Mesaj gönder

HUWEI BANTIAN TABANI

2023-05-18

hakkında son şirket vakası HUWEI BANTIAN TABANI

son şirket davası hakkında HUWEI BANTIAN TABANI  0Proje Profili

Su geçirmez projenin şantiye alanı üç bölümden oluşuyor.

Bodrumun dış duvarı: su geçirmez katman ve ilgili şap katmanı, koruyucu katman vb. dahil, su geçirmez alan yaklaşık 8000㎡'dir;

Bodrum çatı: çatının su geçirmez tabakası (dış kısım) ve ilgili eğim bulma tabakası, koruyucu tabaka vb. dahil, su geçirmez alan yaklaşık 95.000 m2'dir;

Çatı mühendisliği: düz çatı kaplama ve az miktarda eğimli çatı kaplama (bağlı binalar) su geçirmez katman ve eğim oluşturma katmanı, yalıtım katmanı, koruyucu katman, dekoratif katman, yaklaşık 26.000㎡ su geçirmez alan dahil.

son şirket davası hakkında HUWEI BANTIAN TABANI  0Proje Açıklaması

1998'in sonunda Huawei, Bantian Üretim Üssü'nün inşaatına başladı.

Joaboa Tech, malzemelerini üretim üssündeki su yalıtım projesi için kullanarak kıyasıya rekabette birinci oldu.Bu proje, Joaboa Tech'in orijinal sermaye birikimini tamamlamasına yardımcı oldu ve su yalıtım endüstrisinde daha sonraki başarılar için sağlam bir temel attı.
Huawei Bantian Üssü, Shenzhen'in Longgang Bölgesinde yer almakta olup 1,3 kilometrekarelik bir alanı kaplamaktadır.Baicaoyuan'ın bir eğitim merkezi, bir araştırma ve geliştirme merkezi, bir pilot merkezi, bir yönetim merkezi, bir üretim merkezi, bir veri merkezi, bir işleme merkezi ve çalışan dairelerinden oluşmaktadır.
Aralarında,Huawei'nin Bilimsel Araştırma Merkezi Projesi, 2004 yılında Çin'in Ulusal Birinci Kalite İnşaat Mühendisliği "Luban Ödülü"nü kazandı ve Shenzhen'de bu onuru kazanan tek proje oldu.

Proje tarafından inşa edildiÇin İnşaat Bürosu II'nin Shenzhen Şubesi300.000 m2 inşaat alanına sahip.Merkez, bodrum (1. kat), üç araştırma binası (7. kat), kompleks bina (ana binanın 21. katı, yardımcı binanın 1. katı), yemekhane (4. kat) ve yardımcı binalardan (biri VIP kabul salonu, güvenlik odası ve benzin istasyonu).Toplam inşaat alanı 297.790 metrekare, toplam arsa alanı 149.378 metrekaredir.